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CEB10N6 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | CEB10N6 CET | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP10N6, CEB10N6 CEF10N6
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type CEP10N6 CEB10N6 CEF10N6
VDSS 600V 600V
600V
RDS(ON) 0.75Ω 0.75Ω
0.75Ω
ID 10A 10A 10A d
@VGS 10V 10V
10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabi | |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CEB01N6 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP01N6, CEB01N6 CEI01N6, CEF01N6
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
Type CEP01N6 CEB01N6 CEI01N6 CEF01N6 VDSS 650V 650V 650V 650V RDS(ON) 15Ω 15Ω 15Ω 15Ω ID 1A 1A 1A 1A e @VGS 10V 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and c |
CET |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CEB01N65 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP01N65, CEB01N65
CEF01N65
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
Type CEP01N65 CEB01N65 CEF01N65
VDSS 650V 650V
650V
RDS(ON) 10.5Ω 10.5Ω
10.5Ω
ID 1.3A 1.3A 1.3A d
@VGS 10V 10V
10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power an |
CET |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CEB01N6G | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP01N6G, CEB01N6G CEF01N6G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type CEP01N6G CEB01N6G CEF01N6G
VDSS 600V 600V
600V
RDS(ON) 9.3Ω 9.3Ω
9.3Ω
ID @VGS 1A 10V 1A 10V 1A d 10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabil |
CET |
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