CEB13N10L 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-channel Enhancement Mode Field Effect의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사	PDF
1	CEB13N10L	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP13N10L/CEB13N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 12.8A, RDS(ON) = 175mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 185mΩ @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead fr	CET

부품번호	상세설명 및 기능	제조사	PDF
CEB13N10	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP13N10/CEB13N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. D D	CET
1310	200 V - 1/000 V Single Phase Bridge 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 4.5 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 1302 - 1310 1302F - 1310F 1302UF - 1310UF ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Part Number Working Reverse Voltage (Vrwm) Average Rectified Current @TC (Io) 55°C Volts 130	ETC
1310F	200 V - 1/000 V Single Phase Bridge	ETC
1310UF	200 V - 1/000 V Single Phase Bridge	ETC

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