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CEB16N10 데이터시트 PDF ( Data sheet )

번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
2 CEB16N10   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP16N10/CEB16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 &

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1 CEB16N10L   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP16N10L/CEB16N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 115mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabi

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