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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | 06N80C3 Infineon | SPP06N80C3 SPP06N80C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features New revolutionary high voltage technology Extreme dv, dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capacitances
Produ | |
데이터시트 다운로드 |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
06N02C | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET FNK06N02C N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
DESCRIPTION
The FNK06N02Cuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.
ID = 50A RDS(ON)< 7.5mΩ @ VGS=4.5V
DS(ON)<10.0mΩ @ VGS=2.5V
● High Power and current handin |
FNK |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
06N03 | 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET PJD06N03
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TO-252
FEATURES
RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=6mΩ RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ Advanced trench process technology High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance Specially Designed for DC, DC Converters and Motor Drivers Fully Characterized |
Pan Jit International |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
06N03LA | IPB06N03LA
IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features Ideal for high-frequency dc, dc converters N-channel Logic level Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Very low on-resistance R DS(on) Superior thermal resistance 175 °C operating temperature dv , dt rated P- |
Infineon Technologies Corporation |
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