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10N65F 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-CHANNEL MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 10N65F CHONGQING PINGYANG | N-CHANNEL MOSFET 10N65(F,B,H)
10A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET
FEATURE
10A,650V,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V, 5A Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv, dt capability
TO-220AB 10N65
ITO-220AB 10N65F
TO-263 10N65B
TO-262 10N65H
Absolute Maximum Ratings(TC=25℃,unless othe |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N03L | IPP10N03L IPP10N03L IPB10N03L OptiMOS® Buck converter series
Feature
N-Channel
Product Summary VDS RDS(on) max. SMD version ID
P- TO263 -3-2
30 8.9 73
P- TO220 -3-1
V mΩ A
Logic Level Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C opera |
 Infineon Technologies AG |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N120BND | HGTG10N120BND Data Sheet
HGTG10N120BND
December 2001
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGTG10N120BND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipol |
 Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N15 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
10N15
Preliminary
10A, 150V, 0.3Ω, N-CHANNEL POWER MOSFETS
DESCRIPTION
The UTC 10N15 is an N-channel enhancement mode silicon-gate power field effect transistors, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with high breakdown voltage etc.
The UT |
 Unisonic Technologies |
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