10N70 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1	10N70 Inchange Semiconductor	N-Channel Mosfet Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 10N70 ·FEATURES ·Drain Current ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Req
2	10N70 유니소닉 테크놀로지스	N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N70 10A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N70 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteri
3	10N70-C 유니소닉 테크놀로지스	N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N70-C 10A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N70-C is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche charac
4	10N70-Q 유니소닉 테크놀로지스	N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N70-Q Preliminary 10A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N70-Q is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged
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10N03L	IPP10N03L IPP10N03L IPB10N03L OptiMOS® Buck converter series Feature N-Channel Product Summary VDS RDS(on) max. SMD version ID P- TO263 -3-2 30 8.9 73 P- TO220 -3-1 V mΩ A Logic Level Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175°C opera	Infineon Technologies AG
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
10N120BND	HGTG10N120BND Data Sheet HGTG10N120BND December 2001 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG10N120BND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipol	Fairchild Semiconductor
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10N15	N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N15 Preliminary 10A, 150V, 0.3Ω, N-CHANNEL POWER MOSFETS DESCRIPTION The UTC 10N15 is an N-channel enhancement mode silicon-gate power field effect transistors, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with high breakdown voltage etc. The UT	Unisonic Technologies

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