|
|
10NB37LZ 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 STGB10NB37LZ의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
10NB37LZ의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 10NB37LZ ST 마이크로일렉트로닉스 | STGB10NB37LZ ®
STGB10NB37LZ
N-CHANNEL CLAMPED 10A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT
TYPE STGB10NB37LZ
s s s s s s
V CES CLAMPED
V CE(s at) < 1.8 V
IC 10 A
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP HIGH CURRENT CAPABILITY HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE SURFACE-MOUNTI |  |
데이터시트 다운로드 | |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N03L | IPP10N03L IPP10N03L IPB10N03L OptiMOS® Buck converter series
Feature
N-Channel
Product Summary VDS RDS(on) max. SMD version ID
P- TO263 -3-2
30 8.9 73
P- TO220 -3-1
V mΩ A
Logic Level Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C opera |
 Infineon Technologies AG |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N120BND | HGTG10N120BND Data Sheet
HGTG10N120BND
December 2001
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGTG10N120BND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipol |
 Fairchild Semiconductor |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 10N15 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
10N15
Preliminary
10A, 150V, 0.3Ω, N-CHANNEL POWER MOSFETS
DESCRIPTION
The UTC 10N15 is an N-channel enhancement mode silicon-gate power field effect transistors, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with high breakdown voltage etc.
The UT |
 Unisonic Technologies |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |