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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 11N50 유니소닉 테크놀로지스 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11N50
Preliminary Power MOSFET
500V N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11N50 is an N-channel enhancement mode Power FET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. It also ca |  |
| 2 | 11N50E 필립스 | PowerMOS transistors Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors Avalanche energy rated
FEATURES
Repetitive Avalanche Rated Fast switching Stable off-state characteristics High thermal cycling performance Low thermal resistance
PHB11N50E, PHW11N50E
SYMBOL
d
QUICK REFERENCE DATA VDSS = 500 |  |
| 3 | 11N50K-MT 유니소닉 테크놀로지스 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
11N50K-MT
Preliminary
11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11N50K-MT is an N-channel enhancement mode power MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. | |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N06LT | PHB11N06LT Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS™ transistor Logic level FET
FEATURES
’Trench’ technology Very low on-state resistance Fast switching Stable off-state characteristics High thermal cycling performance Low thermal resistance
PHB11N06LT, PHD11N06LT
SYMBOL
d
QUICK |
 NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N120CN | HGTG11N120CN HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, HGT1S11N120CNS
Data Sheet December 2001
43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
The HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, and
HGT1S11N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT
Features
43A, 1200V, TC = 25oC 1200V Switching SOA Capability Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . |
 Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N40C | FQP11N40C FQP11N40C , FQPF11N40C N-Channel QFET® MOSFET
FQP11N40C , FQPF11N40C
N-Channel QFET® MOSFET
400 V, 10.5 A, 530 mΩ
November 2013
Features
10.5 A, 400 V, RDS(on) = 530 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.25 A
Low Gate Charge (Typ. 28 nC) Low Crss (Typ. 85 pF) 100% Avalanche Tested
Descripti |
Fairchild Semiconductor |
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