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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 11NAB126V1 Semikron International | SKIIP11NAB126V1 SKiiP 11NAB126V1 CONVERTER, INVERTER, BRAKE
Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT - Inverter, Chopper
, $3 : ,$3 = 1 (' 7859 2 ! ; 4 -
1 (' 2 0
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Values
4(55 4% 74'9 4% < (5 > .5 ### 4'5
Units
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Diode - Inver |  |
데이터시트 다운로드 | |||
국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N06LT | PHB11N06LT Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS™ transistor Logic level FET
FEATURES
’Trench’ technology Very low on-state resistance Fast switching Stable off-state characteristics High thermal cycling performance Low thermal resistance
PHB11N06LT, PHD11N06LT
SYMBOL
d
QUICK |
 NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N120CN | HGTG11N120CN HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, HGT1S11N120CNS
Data Sheet December 2001
43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
The HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, and
HGT1S11N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT
Features
43A, 1200V, TC = 25oC 1200V Switching SOA Capability Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . |
 Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 11N40C | FQP11N40C FQP11N40C , FQPF11N40C N-Channel QFET® MOSFET
FQP11N40C , FQPF11N40C
N-Channel QFET® MOSFET
400 V, 10.5 A, 530 mΩ
November 2013
Features
10.5 A, 400 V, RDS(on) = 530 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.25 A
Low Gate Charge (Typ. 28 nC) Low Crss (Typ. 85 pF) 100% Avalanche Tested
Descripti |
Fairchild Semiconductor |
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