1N4936G 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	1N4936G Taiwan Semiconductor	Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers 1N4933G thru 1N4937G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers FEATURES - High efficiency, Low VF - High current capability - High reliability - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011, 65, EU and in accordance to WEEE 2002, 96, EC - Halogen
2	1N4936G Shanghai Sunrise Electronics	GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIER SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD. 1N4933G THRU 1N4937G GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGE: 50 TO 600V CURRENT: 1.0A FEATURES Molded case feature for auto insertion Glass passivated chip Fast switching for high efficiency High current capability Low leakage current High surge
3	1N4936G EIC discrete Semiconductors	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS 1N4933G - 1N4937G PRV : 50 - 600 Volts Io : 1.0 Amperes FEATURES : * * * * * * Glass passivated chip High current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Fast switching for high efficiency GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS DO - 41 0.107 (2.7) 0.080
4	1N4936G Leshan Radio Company	FAST GPP DIODES
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1N40	Diode ( Rectifier )	American Microsemiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1N40	N-CHANNEL POWER MOSFET 1N40 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD Preliminary 1A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N40 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’ s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state	Unisonic Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1N4000	10 WATT ZENER DIODES 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A 10 WATT ZENER DIODES SCOTTSDALE DIVISION DESCRIPTION These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 200 V broad range of v	Microsemi Corporation

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