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1N5406G 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
11N5406G

Taiwan Semiconductor		Glass Passivated Rectifiers

CREAT BY ART Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011, 65, EU and in accordance to WEEE 2002, 96, EC - Halogen-free a
Taiwan Semiconductor
21N5406G

Shunye		600V, 3A, SILICON RECTIFIER, DIODE

1N5400G THRU 1N5408G GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 3.0 Amperes DO-201AD 0.220 (5.6) 0.197(5.0) DIA. 1.0 (25.4) MIN. 0.375(9.5) 0.285(7.2) FEATURES The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Const
Shunye
31N5406G

EIC discrete Semiconductors		GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

1N5400G - 1N5408G PRV : 50 - 1000 Volts Io : 3.0 Amperes FEATURES : * * * * * Glass passivated chip High current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS DO - 201AD 0.21 (5.33) 0.19 (4.83) 1.00 (25.4) MIN. 0.375 (9.53)
EIC discrete Semiconductors
41N5406G

Leshan Radio Company		3A GENERAL PURPOSE GPP DIODES

Leshan Radio Company

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