1SS110 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	1SS110 Hitachi Semiconductor	Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch 1SS110 Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch ADE-208-179B (Z) Rev. 2 Features Low forward resistance. (r f = 0.9 Ω max) Suitable for 5mm pitch high speed automatical insertion. Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability. Ordering Information Type No. 1
2	1SS110 Leshan Radio Company	Switching Diode Switching Diode 150mW DO-34 Glass silicon switching diodes * We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1SS110 Product Characteristic Absolute Maximum Ratings(Ta=25°C) Type 1SS110 VR(V) 35 IF(mA) 100 Pd(mW) 150 Topr(℃) -20~+60 Tstg(℃) -55~+125 Characteris
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS104	SILICON PLANAR TYPE DIODE	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS106	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE 1SS106 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE for various detector, high speed switching Features Detection efficiency is very good. Small temperature coefficient. High reliability with glass seal. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Reverse Voltage Average Forward Current Junction Temperatur	SEMTECH
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS106	Silicon Schottky Barrier Diode 1SS106 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching REJ03G0125-0200Z (Previous: ADE-208-153A) Rev.2.00 Oct.23.2003 Features Detection efficiency is very good. Small temperature coefficient. High reliability with glass seal.. Ordering Information Type No. 1SS106 Cat	Renesas

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