1SS369 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	1SS369 Toshiba Semiconductor	DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS369 Low Voltage High Speed Switching Small package Low forward voltage: VF (3) = 0.97V (typ.) Low reverse current: IR = 5 A (max) 1SS369 Unit in mm Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Maximum (peak) reverse voltage
2	1SS369 SEMTECH	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE 1SS369 SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE Features Low forward voltage Low reverse current Applications High Speed Switching PINNING PIN 1 2 DESCRIPTION Cathode Anode 12 SU Top View Marking Code: "SU" Simplified outline SOD-323 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS104	SILICON PLANAR TYPE DIODE	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS106	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE 1SS106 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE for various detector, high speed switching Features Detection efficiency is very good. Small temperature coefficient. High reliability with glass seal. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Reverse Voltage Average Forward Current Junction Temperatur	SEMTECH
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
1SS106	Silicon Schottky Barrier Diode 1SS106 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching REJ03G0125-0200Z (Previous: ADE-208-153A) Rev.2.00 Oct.23.2003 Features Detection efficiency is very good. Small temperature coefficient. High reliability with glass seal.. Ordering Information Type No. 1SS106 Cat	Renesas

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