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20N10 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel MOSFET Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 20N10 Inchange Semiconductor | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
20N10
·FEATURES ·Drain Current ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.12Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switch mode power supply.
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 20N03HL | MTD20N03HL MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MTD20N03HDL, D
Designer's
HDTMOS E-FET .™ High Density Power FET DPAK for Surface Mount N Channel Enhancement Mode Silicon Gate
This advanced HDTMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation mode |
 Motorola Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 20N03L | IPD20N03L IPD20N03L IPU20N03L OptiMOS® Buck converter series
Feature
N-Channel
Product Summary VDS RDS(on) ID
P- TO251 -3-1
30 20 30
P- TO252 -3-11
V mΩ A
Logic Level Low On-Resistance RDS(on)
Excellent Gate Charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperatu |
 Infineon Technologies |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 20N06 | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
20N06
·FEATURES ·Drain Current ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.085Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switching applications in pow |
Inchange Semiconductor |
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