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25N120 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 IXGH25N120의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 25N120 IXYS Corporation | IXGH25N120
VCES Low VCE(sat) High speed IGBT IXGH 25 N120 IXGH 25 N120A 1200 V 1200 V
IC25 50 A 50 A
VCE(sat) 3V 4V
Symbol VCES VCGR VGES VGEM I C25 I C90 I CM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg Md Weight
Test Conditions TJ = 25 °C to 150°C TJ = 25 °C to 150°C; RGE = 1 MΩ Continuous Transient TC = 25 °C |  |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 25N05 | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
25N05
·FEATURES ·Drain Current ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.065Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switching regulators ·Switch |
 Inchange Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 25N06 | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
25N06
·FEATURES ·Drain Current ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage
: VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.065Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switching regulators ·Switchi |
Inchange Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 25N06 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 25N06
Preliminary Power MOSFET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 25N06 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET, which provides low gate charge, avalanche rugged technology, and so on. The UTC 25N06 is universally applied in DC |
 Unisonic Technologies |
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