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2N3553 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 HIGH FREQUENCY TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
12N3553

Motorola Semiconductors
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2N3553 MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Continuous @Total Device Dissipation Tc = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range Symbol vCEO vCBO v EBO c p D. TJ< Tstg Value 40 65 4.0 1.0 7.
Motorola Semiconductors
22N3553

Seme LAB
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2N3553 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. (00.0.8395)max. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. 5.08 (0.200) typ. 0.74 (0.029) 1.14 (0.045) 0.71 (0.028) 0.86 (0.034) 2 13 2.54 (0.100) 45° TO-39 (
Seme LAB
32N3553

ASI
NPN SILICON RF TRANSISTOR

2N3553 NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N3553 is Designed for Amplifier, Oscillator and Driver Applications Covering VHF-UHF Frequency. MAXIMUM RATINGS IC 1.0 A VCE PDISS TJ TSTG θJC 40 V 7.0 W @ TC = 25 OC -65 OC to +200 OC -65 OC to +200 OC 25 OC, W PACKAGE STYLE TO- 39 1 = E
ASI
42N3553

NXP Semiconductors
Silicon planar epitaxial overlay transistor

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3553 Silicon planar epitaxial overlay transistor Product speci cation Supersedes data of October 1981 File under Discrete Semiconductors, SC08a 1995 Oct 27 Philips Semiconductors Product speci cation Silicon planar epitaxial overlay transistor APPLICATIONS
NXP Semiconductors

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New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
datasheet 2N3001 pdf

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