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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2N3766 Central Semiconductor | SILICON NPN POWER TRANSISTORS 2N3766 2N3767
SILICON NPN POWER TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3766 and 2N3767 are silicon NPN power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for power amplifier and medium speed switching applications.
MARKING: FULL |  |
| 2 | 2N3766 MA-COM | NPN Power Silicon Transistor 2N3766 & 2N3767
NPN Power Silicon Transistor
Features
Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF19500, 518
TO-66 (TO-213AA) Package
Rev. V1
Electrical Characteristics
Parameter
Test Conditions
Symbol Units
Off Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Collector - Emitter Cutoff |  |
| 3 | 2N3766 Inchange Semiconductor | Silicon NPN Power Transistors INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2N3766
DESCRIPTION ·Continuous Collector Current IC= 4A ·Collector Power Dissipation-
: PC= 20W @TC= 25℃
APPLICATIONS ·Designed for power amplifier and medium speed
applications.
switching
ABSOLUTE MAXIMUM RA |  |
| 4 | 2N3766 Seme LAB | Bipolar NPN Device 2N3766
Dimensions in mm (inches).
3.68 (0.145) rad.
max.
3.61 (0.142) 4.08(0.161)
rad.
12
6.35 (0.250) 8.64 (0.340)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
Metal Package.
Bipolar NPN Device. VCEO = 60V IC = 4A
24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.570) 14.99 (0.590)
0.71 (0.028) 0.86 ( |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N3001 | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
 Boca Semiconductor Corporation |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N3001 | Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box |
 New Jersey Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N3001 | Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box |
New Jersey Semiconductor |
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