2N6287 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Trans Darlington PNP 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2N6287 Semelab	Bipolar PNP Device 2N6287 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17.15 (0.675) 0.97 (0.060) 1.10
2	2N6287 Central Semiconductor	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 2N6282 2N6283 2N6284 NPN 2N6285 2N6286 2N6287 PNP COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6282, 2N6285 series devices are complementary silicon monolithic Darlington transistors, manufactured by the epitaxial b
3	2N6287 Savantic	(2N6285 - 2N6287) Silicon PNP Power Transistors SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N6282, 6283, 6284 ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base
4	2N6287 온세미컨덕터 반도체	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6284 (NPN); 2N6286, 2N6287 (PNP) Preferred Device Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. Features High DC Current Gain @ IC = 10 Adc hFE = 2400 (Typ) 2N6284 = 4000 (Typ) 2N6287 Col
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2N60	N-CHANNEL MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This powe	Unisonic Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2N60-E	N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60-E 2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N60-E is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. Thi	Unisonic Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2N6008	Series 2N Transistors	Sprague

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