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2N6427 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
12N6427

National Semiconductor		NPN Darlington Transistor

National Semiconductor
22N6427

NXP Semiconductors		NPN Darlington transistor

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N6427 NPN Darlington transistor Product speci cation File under Discrete Semiconductors, SC04 1997 Jul 04 Philips Semiconductors Product speci cation NPN Darlington transistor FEATURES High current (max. 500 mA) Low voltage (max. 30 V
NXP Semiconductors
32N6427

Samsung semiconductor		NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

Samsung semiconductor
42N6427

Fairchild Semiconductor		NPN Darlington Transistor

2N6427 , MMBT6427 Discrete POWER & Signal Technologies 2N6427 MMBT6427 C E C B TO-92 E SOT-23 Mark: 1V B NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for character
Fairchild Semiconductor

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 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies		 datasheet 2N60 pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
2N60-E N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60-E 2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N60-E is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. Thi
 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies		 datasheet 2N60-E pdf
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2N6008 Series 2N Transistors

 Sprague
Sprague		 datasheet 2N6008 pdf

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