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2N6428 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2N6428 Samsung semiconductor | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |  |
| 2 | 2N6428 New Jersey Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 3-Pin TO-92 Sleeve |  |
| 3 | 2N6428A Samsung semiconductor | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| 4 | 2N6428A Fairchild Semiconductor | NPN Epitaxial Silicon Transistor
2N6428A NPN Epitaxial Silicon Transistor
December 2006
2N6428A
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
This device is designed for high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1uA to 200 mA.
tm
TO92
1 2 3
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Rat |  |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N60 | N-CHANNEL MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This powe |
 Unisonic Technologies |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N60-E | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2N60-E
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 2N60-E is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. Thi |
Unisonic Technologies |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2N6008 | Series 2N Transistors |
 Sprague |
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