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2N6673 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon NPN Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | 2N6673 ST 마이크로일렉트로닉스 | Silicon NPN Transistor | ![]() |
2 | 2N6673 Seme LAB | Bipolar NPN Device 2N6673
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
0.97 (0.060) 1.10 (0.043)
29.9 (1.177) 30.4 (1.197)
22.23 (0.875) ma | ![]() |
3 | 2N6673 ETC | HIGH VOLTAGE NPN TYPES FOR OFF LINE POWER SUPPLIES AND OTHER HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS | ![]() |
4 | 2N6673 SavantIC | (2N6671 - 2N6673) Silicon Power Transistor SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low saturation voltage ·Fast switching speed ·High voltage ratings APPLICATIONS ·Off-line power supplies ·High-voltage inverters ·Switching regulators
PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter C | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2N60 | N-CHANNEL MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This powe |
![]() Unisonic Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2N60-E | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2N60-E
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 2N60-E is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. Thi |
![]() Unisonic Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2N6008 | Series 2N Transistors |
![]() Sprague |
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