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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SA1606 Inchange Semiconductor | Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1606
DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -160V (Min) ·Large Current Capacity ·Complement to Type 2SC4159
APPLICATIONS ·Designed for high-voltage switching, AF power amplifier,
100 |  |
| 2 | 2SA1606 Sanyo Semicon Device | High-Voltage Switching/AF 100W Driver Applications Ordering number:EN2535
PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1606, 2SC4159
High-Voltage Switching, AF 100W Driver Applications
Applications
· High-voltage switching, AF power amplifier, 100W output predrivers.
Package Dimensions
unit:mm 2041
[2SA1606, 2SC4159]
Features
· Micaless pa |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SA0683 | Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistors
2SA0683 (2SA683), 2SA0684 (2SA684)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
■ Features
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) 2SA0683 2SA0684 VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Symbol VCBO Rating 30 |
 Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SA0684 | Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistors
2SA0683 (2SA683), 2SA0684 (2SA684)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
■ Features
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) 2SA0683 2SA0684 VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Symbol VCBO Rating 30 |
Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SA0879 | Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistors
2SA0879 (2SA879)
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification Complementary to 2SC1573 ■ Features
High collector-emitter voltage (Base open) VCEO
0.7+0.3 0.2
0.7±0.1
Unit: mm
5.9±0.2 4.9±0.2
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage |
Panasonic Semiconductor |
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