2SB1182 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1	2SB1182 Inchange Semiconductor	Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SB1182 DESCRIPTION ·Small and slim package ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power dissipation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER
2	2SB1182 ROHM Semiconductor	Medium power Transistor Medium power transistor ( 32V, 2A) 2SB1182 , 2SB1240 Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC, IB = 2A , 0.2A) 2) Complements 2SD1758 , 2SD1862. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor Dimensions (Unit : mm) 2SB1182 6.5±0.2 5.1+ 00..21 C0.5 2.3+ 00..21 0.5�
3	2SB1182 유니소닉 테크놀로지스	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1182 MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR 1 PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TO-252 The UTC 2SB1182 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to
4	2SB1182 Weitron	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS 2SB1182 PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRA NSISTORS P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 D-PAK(TO-252) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25˚C) Rating Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
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