2SB1182D 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SB1182D SeCoS	PNP Silicon General Purpose Transistor 2SB1182D PNP Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor TO-252 6. 50 0. 15 FEATURES The 2SB1182DX is designed for medium power amplifier application 9. 70 0. 20 0. 75 0. 10 5. 30 0. 10 2. 30 0. 10 0. 51 0. 05 C Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.) RoHS Compl
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB035030MLJY	2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; H	Silan Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB035100ML	2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su	Silan Microelectronics

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