2SB1201 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SB1201 Inchange Semiconductor	Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SB1201 DESCRIPTION ·Large current capacitance and wide ASO ·Small and slim package making it easy to make 2SB1201, 2SD1801-used set smaller ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Mini
2	2SB1201 Sanyo Semicon Device	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number : EN2112C 2SB1201, 2SD1801 SANYO Semiconductors DATA SHEET 2SB1201, 2SD1801 PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT pro
3	2SB1201 온세미컨덕터 반도체	Bipolar Transistor Ordering number : EN2112C 2SB1201, 2SD1801 Bipolar Transistor ( )50V, ( )2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP, TP-FA http:, , onsemi.com Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and
4	2SB1201 Kexin	High-Current Switching Applications SMD Type High-Current Switching Applications 2SB1201 TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Transistors Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. +0.2 9.70 -0.2 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50 -0.15 0.127 max 2
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
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2SB035100ML	2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su	Silan Microelectronics

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