2SB1412 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1	2SB1412 Inchange Semiconductor	Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SB1412 DESCRIPTION ·Small and slim package making it easy to make 2SB1205-used set smaller ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perfor
2	2SB1412 ROHM Semiconductor	Low Frequency Transistor Low frequency transistor ( 20V, 5A) 2SB1412 zFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.35V (Typ.) (IC, IB = 4A , 0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2118. zStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor zDimensions (Unit : mm) 2SB1412 ROHM : CPT3 EIA
3	2SB1412 Weitron Technology	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 2SB1412 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 2 3 Features: * Excellent DC Current Gain Characteristics * Low VCE(Sat) 1 D-PAK(TO-252) Mechanical Data: * Case : Molded Plastic * Weight : 0.925 grams ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25ºC) Rating Collector to
4	2SB1412 유니소닉 테크놀로지스	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1412 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. 1 FEATURES Excellent DC current gain characteristics Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC, IB = -4A, -0.1A)
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
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2SB035100ML	2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su	Silan Microelectronics

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