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2SB800 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Diode ( Rectifier )의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SB800 American Microsemiconductor | Diode ( Rectifier ) |  |
| 2 | 2SB800 NEC | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |  |
| 3 | 2SB800 Kexin | Transistor SMD Type
PNP Silicon Epitaxial Transistor 2SB800
Transistors
Features
World standard miniature package:SOT-89 High collector to emitter voltage:VCEO -80V
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Col |  |
| 4 | 2SB800 TY Semiconductor | Transistor Product specification
2SB800
Features
World standard miniature package:SOT-89 High collector to emitter voltage:VCEO -80V
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector current(Pulse) * Total po |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SB030070MLJY | 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY
2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur |
 Silan Microelectronics |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SB035030MLJY | 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY
2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; H |
Silan Microelectronics |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SB035100ML | 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su |
Silan Microelectronics |
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