2SB858 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SB858 Hitachi Semiconductor	Silicon PNP Triple Diffused 2SB857, 2SB858 Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1133 and 2SD1134 Outline TO-220AB 1 2 3 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Ratings Item Collector to base voltage Collector to emitter vol
2	2SB858 SavantIC	(2SB857 / 2SB858) SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB857 2SB858 · DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SD1133, 1134 APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolut
3	2SB858 Renesas	(2SB857 / 2SB858) Silicon PNP Triple Diffused To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations i
4	2SB858 Inchange Semiconductor	(2SB857 / 2SB858) Silicon PNP Power Transistor Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB857 2SB858 DESCRIPTION ¡¤With TO-220C package ¡¤Complement to type 2SD1133, 1134 APPLICATIONS ¡¤Low frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ¡¤
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
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2SB035030MLJY	2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; H	Silan Microelectronics
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2SB035100ML	2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su	Silan Microelectronics

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