2SB934 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SB934 Panasonic Semiconductor	Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors 2SB934 Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1257 10.0±0.3 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 s Features q q q q 1.5±0.1 1.5max. 1.1max. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward curr
2	2SB934 Panasonic Semiconductor	Power Transistors Power Transistors 2SB0934 (2SB934) Silicon PNP epitaxial planar type For Power switching Complementary to 2SD1257 ■ Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Large collector current IC N type package enabling dire
3	2SB934 Kexin	Transistor SMD Type Silicon PNP Epitaxial Planar Type 2SB934 TO-252 Transistors Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. +0.2 9.70 -0.2 +0.15 1.50 -0.15 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 L
4	2SB934 TY Semiconductor	Transistor Product specification 2SB934 TO-252 Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. +0.2 9.70 -0.2 +0.15 1.50 -0.15 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 Large collector current IC. +0.1
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB035030MLJY	2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; H	Silan Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
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