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2SB937A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | 2SB937A Panasonic Semiconductor | Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching) Power Transistors
2SB937, 2SB937A
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification and switching Complementary to 2SD1260 and 2SD1260A
10.0±0.3
8.5±0.2 6.0±0.5
3.4±0.3
Unit: mm
1.0±0.1
q q q
High foward current transfer ratio hFE High-speed switching N type package ena | ![]() |
2 | 2SB937A Panasonic Semiconductor | Power Transistors Power Transistors
2SB0937 (2SB937), 2SB0937A (2SB937A)
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification and switching Complementary to 2SD1260, 2SD1260A ■ Features
High forward current transfer ratio hFE High-speed switching N type package enabling direct soldering of the | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SB030070MLJY | 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY
2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur |
![]() Silan Microelectronics |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SB035030MLJY | 2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035030MLJY
2SB035030MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035030MLJY is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; H |
![]() Silan Microelectronics |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SB035100ML | 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su |
![]() Silan Microelectronics |
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