2SB945 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SB945 Panasonic Semiconductor	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Power Transistors 2SB945 Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1270 0.7±0.1 10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2 Unit: mm 4.2±0.2 s Features q q q q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio
2	2SB945 Wing Shing Computer Components	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) 2SB945 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT SC-67 ! Complement to 2SD1270 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base voltage Collector Current (DC) Collector Dissipation (Tc=25℃) Junct
3	2SB945 SavantIC	SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB945 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Large collector current IC ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1270 APPLICATIONS ·For power switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emi
4	2SB945 Panasonic Semiconductor	Power Transistors Power Transistors 2SB0945 (2SB945) Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1270 ■ Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Large collector current IC Full-pack package which can
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SB030070MLJY	2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB030070MLJY 2SB030070MLJY SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB030070MLJY is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High sur	Silan Microelectronics
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2SB035100ML	2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD capability; High su	Silan Microelectronics

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