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2SC4003 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
12SC4003

Inchange Semiconductor
Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SC4003 DESCRIPTION ·High hFE ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High switching applications ABSOLUTE MA
Inchange Semiconductor
22SC4003

Sanyo Semicon Device
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Ordering number : ENN2959B 2SC4003 2SC4003 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor High-Voltage Driver Applications Features High breakdown voltage. Adoption of MBIT process. Excellent hFE linearity. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Collector-to-Base Volta
Sanyo Semicon Device
32SC4003

TRANSYS
Plastic-Encapsulated Transistors

Transys Electronics L I M I T E D TO-251 Plastic-Encapsulated Transistors 2SC4003 TRANSISTOR (NPN) TO-251 FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Collector current 200 mA ICM: Collector-base voltage 400 V V(BR)CBO: Operating and storage junction tempe
TRANSYS
42SC4003

KEXIN
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

SMD Type Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4003 TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7 Features High breakdown voltage +0.2 9.70 -0.2 +0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2 +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50 -0.15 Excellent hFE linearity 0.127 max 2.3 +0.15
KEXIN

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2SC0829 Silicon NPN epitaxial planar type

Transistor 2SC0829 (2SC829) Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification 5.0±0.2 Unit: mm 4.0±0.2 Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM, AM radios 0.7±0.1 0.7±0.2 12.9±0.5 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter
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datasheet 2SC0829 pdf

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