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2SD400 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SILICON NPN TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SD400 Sanyo Semicon Device | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number : EN0199
2SB544 , 2SD400
Preliminary
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SB544 , 2SD400
PNP , NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
Low-Frequency Power Amplifier Electronic Governor Applications
Specifications ( ) : 2SB544
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Coll |  |
| 2 | 2SD400 LGE | NPN Transistor 2SD400
TO-92MOD Transistor (NPN)
1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE
0.900 1.100 8.400 8.800
TO-92MOD
5.800 6.200
1 2 3
Features
0.400 0.600 13.800 14.200
Low-Frequency power Amp, Electronic Governor Applications
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Ts |  |
| 3 | 2SD400 LZG | SILICON NPN TRANSISTOR 2SD400
TO-92MOD Transistor (NPN)
1 1. EMITTER 2 3 2. COLLECTOR
3. BASE
Features
Low-Frequency power Amp, Electronic Governor Applications
TO-92MOD
5.800 6.200
0.400 0.600
0.900 1.100
8.400 8.800
13.800 14.200
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ T |  |
| 4 | 2SD400 Yukuto | NPN Transistor YUKUTO SEMICONDUCTOR
2SD400
FEATURES Power dissipation PCM: 900 mW (TA=25℃) TRANSISTOR (NPN)
Silicon Transistor
TO-92MOD
1. EMITTER
2. COLLECTOR 3. BASE
Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage 25 V V(BR)CBO: Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ |  |
국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0592A | Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs |
 Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package |
Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601A | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a |
Panasonic Semiconductor |
|
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