2SK2957 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SK2957 Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2957(L),2SK2957(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-567D (Z) 5th. Edition Jun 1998 Features Low on-resistance R DS(on) = 7mΩ typ. 4V gate drive devices. High speed switching Outline LDPAK 4 D 4 1 G 1 2 3 2 3 S 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain 2SK2957
2	2SK2957 Renesas	Silicon N Channel MOS FET 2SK2957(L), 2SK2957(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1057-0600 (Previous: ADE-208-567D) Rev.6.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. 4 V gate drive devices. High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A (Package name: LDPA
3	2SK2957L Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2957(L),2SK2957(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-567D (Z) 5th. Edition Jun 1998 Features Low on-resistance R DS(on) = 7mΩ typ. 4V gate drive devices. High speed switching Outline LDPAK 4 D 4 1 G 1 2 3 2 3 S 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain 2SK2957
4	2SK2957L Renesas	Silicon N Channel MOS FET 2SK2957(L), 2SK2957(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1057-0600 (Previous: ADE-208-567D) Rev.6.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. 4 V gate drive devices. High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A (Package name: LDPA
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0065	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0065 (2SK65) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone 4.0±0.2 2.0±0.2 (0.8) 3.0±0.2 unit: mm I Features G Diode is connected between gate and source G Low noise voltage I Absolute Maximu	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0123	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone s Features q High mutual conductance gm q Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 2.90+0.20 0.05 10˚ Unit: mm 0.40+0.10 0.0	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0198	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0198 (2SK198) Silicon N-Channel Junction FET For low-frequency amplification 0.40+0.10 0.05 Unit: mm 0.16+0.10 0.06 s Features q High mutual conductance gm q Low noise type q Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion throu	Panasonic Semiconductor

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