2SK325 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SK325 도시바	Silicon N-Channel MOS Type ( t : )
2	2SK3254 Sanyo Electric	N-Channel MOS Silicon FET ( t : ) 2SK3254 N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features and Applications Low ON-state resistance. Low Qg. Absolute Maximum Ratings , Ta=25°C Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Current(DC) Drain Current(Pulse) Allowable power Dissip
3	2SK3255 Sanyo	TO-220 Type Transistors 2SK3255 N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features and Applications Low ON-state resistance. Low Qg. Absolute Maximum Ratings , Ta=25°C Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Current(DC) Drain Current(Pulse) Allowable power Dissipation Chan
4	2SK3255LS Sanyo	N-Channel MOS Silicon FET 2SK3255LS N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features and Applications Low ON-state resistance. Low Qg. Absolute Maximum Ratings , Ta=25°C Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Current(DC) Drain Current(Pulse) Allowable power Dissipation Ch
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0065	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0065 (2SK65) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone 4.0±0.2 2.0±0.2 (0.8) 3.0±0.2 unit: mm I Features G Diode is connected between gate and source G Low noise voltage I Absolute Maximu	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0123	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone s Features q High mutual conductance gm q Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 2.90+0.20 0.05 10˚ Unit: mm 0.40+0.10 0.0	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SK0198	Silicon N-Channel Junction FET Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0198 (2SK198) Silicon N-Channel Junction FET For low-frequency amplification 0.40+0.10 0.05 Unit: mm 0.16+0.10 0.06 s Features q High mutual conductance gm q Low noise type q Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion throu	Panasonic Semiconductor

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