|
|
3CD834 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 DIODE의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
3CD834의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 3CD834 Dayan Technology | DIODE Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen
3CD834
1. 2. 3. TO-220
4. 5.
D880 Ta=25 VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg -120 -70 -7 -3 1.5 30 150 -55~150 V V V A W W
Ta=25 Tc=25
6.
Ta=25 Min -120 -70 -7 Max V V V A A A V V
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICEO IEBO VCEsat VBE(ON) hFE1 hFE2 hFE3 fT
7. h
F |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3CD1375 | SILICON PNP TRANSISTOR 2SB1375(3CD1375)
硅 PNP 半 三 管, SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音 功率放大。
Purpose: Audio frequency power amplifier applications.
特点: 和 降低，集 耗散功率大；可 2SD2012(3DD2012)互 。, Features: Low V ,CE(sat) High PC, complementary pair with 2SD2012(3DD2012). |
 BLUE ROCKET ELECTRONICS |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3CD3001 | TO-251 Plastic Encapsulate Transistors JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13001
FEATURES Power dissipation PCM: 1.2 W (Tamb=25℃)
1. BASE 2. COLLECTOR 3EMITTER
TRANSISTOR (NPN)
TO-251
Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage ju |
 Jiangsu Changjiang |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3CD6D | Silicon Power Transistor Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
3CD6D
DESCRIPTION ¡¤ With TO-3 package ¡¤ Low collector saturation voltage APPLICATIONS ¡¤ For power amplifier and low speed switching applications
PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline |
 Inchange |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |