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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 3DG2482S Huajing Microelectronics | Silicon NPN Transistor 硅三重 散 NPN 型晶 管
3DG2482S
○R
品 述
3DG2482S 是硅 NPN 型 功率 晶 管， 品采 用平面工 ，分 端 和少子 命控制技 ，提 高了 品的 穿 、 速度和可 性。
品特点
● 耗低 ● 反向漏 流小 ● 高 特性好 ● 合适的 速度 ● � |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3DG100 | NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd
Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
3DG100, 3DG102
NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor
Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use |
 Shaanxi Qunli |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3DG1008 | SILICON NPN TRANSISTOR CSD18504Q5A
www.ti.com SLPS366 JUNE 2012
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
Check for Samples: CSD18504Q5A
1
FEATURES
Ultra Low Qg and Qgd Low Thermal Resistance Avalanche Rated Logic Level Pb Free Terminal Plating RoHS Compliant Halogen Free SON 5-mm × 6-mm Plastic Package PRODUCT SUMMARY
Ty |
 LZG |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3DG101 | Silicon NPN high frequency low power transistor 3DG101 型 NPN 硅高 小功率晶 管
符
件
PCM 限 ICM Tjm
Tstg V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO 直 ICBO 流 ICEO IEBO VBEsat VCEsat
hFE
交 流 fT
ICB=0.1mA ICE=0.1mA IEB=0.1mA VCB=10V VCE=10V VEB=1.5V IC=10mA
IB=1mA VCE=10V
IC=0.5mA VCE=10V
IC=3mA
fo=100MH z
A
≥20 ≥15
范 BC |
 ETC |
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