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3N172-73 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 3N172-73 Calogic LLC | Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier, Switch
3N172 , 3N173
FEATURES
CORPORATION
High Input Impedance Diode Protected Gate
PIN CONFIGURATION
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC unless otherwise specified) Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N172. . . . . . |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N100E | MTB3N100E MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MTB3N100E, D
Designer's
TMOS E-FET .™ High Energy Power FET D 2 PAK for Surface Mount N Channel Enhancement Mode Silicon Gate
The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which |
 Motorola Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N121 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail |
 New Jersey Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N123 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail |
New Jersey Semiconductor |
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