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3N90A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Advanced Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 3N90A Samsung Electronics | Advanced Power MOSFET w
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N90 | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
3N90
·FEATURES ·Drain Current ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 4.8Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switching power supplies,converte |
 Inchange Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N90 | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
3N90
3A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 3N90 provides excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
FEATURES
* RDS(ON) < 4.8 Ω @ VGS = 10 V * Fast S |
 Unisonic Technologies |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 3N90-E | N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N90-E
3A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 3N90-E provides excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
FEATURES
* RDS(ON) < 6.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A |
Unisonic Technologies |
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