50N10 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	50N10 IXYS Corporation	IXFK150N10 HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv, dt, Low trr VDSS IXFK100N10 IXFN150N10 ID25 RDS(on) 12 mW 12 mW 100 V 100 A 100 V 150 A trr 200 ns TO-264 AA (IXFK) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID120 IDM IAR EAR dv, dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight Test Cond
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
50N02-09	SUB50N02-09 SUD50N02-09P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 20 rDS(on) (W) 0.0095 @ VGS = 10 V 0.017 @ VGS = 4.5 V ID (A)a 20 15 D D D D TrenchFETr Power MOSFET 175_C Junction Temperature PWM Optimized for High Efficiency 100% Rg Tested APPLICATIONS D High-	Vishay Siliconix
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
50N024	SUD50N024 SUD50N024-06P New Product Vishay Siliconix N-Channel 22-V (D-S) 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 24C FEATURES ID (A)d 80 64 rDS(on) (W) 0.006 @ VGS = 10 V 0.0095 @ VGS = 4.5 V D TrenchFETr Power MOSFET D 175_C Junction Temperature D PWM Optimized for High Efficiency APPLICATIONS D Synchr	Vishay Siliconix
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
50N02409PU54A	SU50N02409PU54A SUD50N024-06P New Product Vishay Siliconix N-Channel 22-V (D-S) 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 24C FEATURES ID (A)d 80 64 rDS(on) (W) 0.006 @ VGS = 10 V 0.0095 @ VGS = 4.5 V D TrenchFETr Power MOSFET D 175_C Junction Temperature D PWM Optimized for High Efficiency APPLICATIONS D Synch	Vishay Intertechnology

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