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A1015 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon PNP Epitaxial Type Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | A1015 Jiangsu Changjiang | PNP Transistor JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A1015
TRANSISTOR (PNP)
TO 92
1.EMITTER
FEATURES Power dissipation MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Volt |  |
| 2 | A1015 Hi-Sincerity Mocroelectronics | 50V, 150mA, PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |  |
| 3 | A1015 Micro Electronics | 50V, 150mA,PNP SILICON TRANSISTOR |  |
| 4 | A1015 NXP Semiconductors | PNP general purpose transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
2PA1015 PNP general purpose transistor
Product speci cation Supersedes data of 1997 May 01 1999 Apr 08
Philips Semiconductors
Product speci cation
PNP general purpose transistor
FEATURES Low current (max. 150 mA) Low voltage (max. 50 V |  |
국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| A10 | Processor Allwinner Technology CO., Ltd.
A10 Datasheet
V1.70 December 27, 2012
Allwinner Technology CO., Ltd.
Revision History
Version V1.00 V1.10 V1.20 V1.21 V1.30 V1.40 V1.50
V1.60
V1.70
Date 2011.08.22 2012.02.17 2012.03.29 2012.04.06 2012.08.24 2012.09.14 2012.10.18
2012.10.25
2012.12.27
Author
Desc |
 Allwinner Technology |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| A1002 | Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1002
DESCRIPTION ·High Current Capability ·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 120V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2 |
 INCHANGE |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| A1002 | PNP Transistor - 2SA1002 crTVf
20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A.
, line.
Silicon PNP Power Transistor
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005 FAX: (973) 376-8960
2SA1002
DESCRIPTION High Current Capability Collector-Emitter Breakdown Voltage-
:V(BR)cEO=-120V(Min.)
APPLICATIONS Designed for audio an |
 New Jersey Semiconductor |
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