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A1020 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 FPGAs의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | A1020 ETC | Silicon PNP Epitaxial Transistor A1020 A1020 Silicon PNP Epitaxial Transistor Description: The A1020 is designed for use in power amplifier applications and power switching applications Features: ●Low collector saturation voltage ●Complementary to C2328 Chip Appearance
Chip Size Chip Thickness Bonding Pad Size Front Metal Backs | ![]() |
2 | A1020 Toshiba Semiconductor | PNP Transistor - 2SA1020 2SA1020
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1020
Power Amplifier Applications Power Switching Applications
Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC2655 Unit: mm
Maximum Ratin | ![]() |
3 | A1020B Actel Corporation | (A1010B / A1020B) FPGAs
ACT™ 1 Series FPGAs
Features
5V and 3.3V Families fully compatible with JEDEC specifications Up to 2000 Gate Array Gates (6000 PLD equivalent gates) Replaces up to 50 TTL Packages Replaces up to twenty 20-Pin PAL® Packages Design Library with over 250 Macro Functions Gate Array Architect | ![]() |
4 | A1020B Actel | FPGAs
v3.0
RadTolerant FPGAs
Fe a t ur es
Gener al C har act er is t ics
100% Resource Utilization with 100% Pin-Locking Secure Programming Technology Prevents Reverse Engineering and Design Theft Permanently Programmed for Operation on Power-Up Unique In-System Diagnostic and Verification Capabil | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
A10 | Processor Allwinner Technology CO., Ltd.
A10 Datasheet
V1.70 December 27, 2012
Allwinner Technology CO., Ltd.
Revision History
Version V1.00 V1.10 V1.20 V1.21 V1.30 V1.40 V1.50
V1.60
V1.70
Date 2011.08.22 2012.02.17 2012.03.29 2012.04.06 2012.08.24 2012.09.14 2012.10.18
2012.10.25
2012.12.27
Author
Desc |
![]() Allwinner Technology |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
A1002 | Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1002
DESCRIPTION ·High Current Capability ·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 120V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2 |
![]() INCHANGE |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
A1002 | PNP Transistor - 2SA1002 crTVf
20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A.
, line.
Silicon PNP Power Transistor
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005 FAX: (973) 376-8960
2SA1002
DESCRIPTION High Current Capability Collector-Emitter Breakdown Voltage-
:V(BR)cEO=-120V(Min.)
APPLICATIONS Designed for audio an |
![]() New Jersey Semiconductor |
![]() |
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