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AGR21010E 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel E-Mode Lateral MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | AGR21010E Agere Systems | N-Channel E-Mode Lateral MOSFET |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| AGR09030E | Lateral MOSFET AGR09030E 30 W, 865 MH- 895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Introduction
The AGR09030E is a high-voltage, gold-metalized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power transistor suitable for cellular band, code-division multiple access (CDMA), global system for mobile communic |
 TriQuint Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| AGR09045E | Lateral MOSFET
AGR09045E 45 W, 865 MH- 895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Introduction
The AGR09045E is a high-voltage, gold-metalized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power transistor suitable for cellular band, code-division multiple access (CDMA), global system for mobile commun |
 PEAK electronics |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| AGR09070EF | Lateral MOSFET AGR09070EF
Introduction
70 W, 921 MH- 960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Table 1. Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance, Junction to Case: AGR09070EF Sym Value Unit
The AGR09070EF is a high-voltage, gold-metalized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power |
TriQuint Semiconductor |
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