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B156 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Color TFT-LCD의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | B156 Hitachi | PNP Transistor |  |
| 2 | B1560 Sanken electric | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (7 0 Ω ) E
Darlington
sAbsolute maximum ratings
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1560 160 150 5 10 1 100(Tc=25°C) 150 55 to +150 (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C
2SB1560
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fr COB Conditions VCB= 160V VEB |  |
| 3 | B1565 ROHM Semiconductor | Power Transistor 2SB1565
Transistors
For Power Amplification ( 60V, 3A)
2SB1565
zStructure PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor zExternal dimensions (Unit : mm)
TO-220FN
10.0
4.5
φ3.2
2.8
14.0
zFeatures 1) Low VCE (sat). 2) Excellent electrical characteristics of DC current Gain hFE. 3) Wide SOA.
(1)Base ( |  |
| 4 | B1566 ROHM Semiconductor | Power Transistor Transistors
2SB1566
For Power Amplification ( 60V, 3A)
2SB1566
zStructure PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
zFeatures 1) Low VCE (sat). 2) Wide SOA.
zApplications Relay drive DC-DC converter Stabilized power supply
zExternal dimensions (Unit : mm)
TO-220FN
10.0 φ3.2
4.5 2.8
15.0 12. | |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| B150 | 1 AMP SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
 Fuji Electric |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| B150 | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Green B120, B - B160, B
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Guard Ring Die Construction for Transient Protection Ideally Suited for Automated Assembly Low Power Loss, High Efficiency Surge Overload Rating to 30A Peak For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free
Whe |
 Diodes Incorporated |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| B1503 | PNP Transistor - 2SB1503 Power Transistors
2SB1503
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification Complementary to 2SD2276
20.0±0.5
Unit: mm
φ 3.3±0.2 5.0±0.3
3.0
2.0 4.0 2.0 3.0
10.0 6.0
s Features
q Optimum for 110W HiFi output q High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 q Low c |
 Panasonic Semiconductor |
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