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BB659 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon Variable Capacitance Diode (For VHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance)의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1BB659

Siemens Group
Silicon Tuning Diode (For VHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance)

BB 659 Silicon Tuning Diode For VHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance Extremely small plastic SMD package Excellent uniformity and matching due to "in-line" matching assembly procedure 2 1 VES05991 Type BB 659 BB 659 Marking Ordering Code D D Q62
Siemens Group
2BB659

Infineon Technologies AG
Silicon Variable Capacitance Diodes

BB639, BB659... Silicon Variable Capacitance Diodes  For tuning of extended frequency band in VHF TV , VTR tuners  High capactance ratio  Low series inductance  Low series resistance  Excellent uniformity and matching due to "in-line" matching assembly procedure BB639 BB659 1 2 Type BB63
Infineon Technologies AG
3BB659C

Siemens Group
Silicon Variable Capacitance Diode (For VHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance)

BB 659C Silicon Variable Capacitance Diode For VHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance Extremely small plastic SMD package Excellent uniformity and matching due to "in-line" matching assembly procedure 2 1 VES05991 Type BB 659C BB 659C Marking Orde
Siemens Group
4BB659C

Infineon Technologies AG
Silicon Variable Capacitance Diode

BB639C, BB659C... Silicon Variable Capacitance Diode  For tuning of extended frequency band in VHF TV , VTR tuners  High capacitance ratio  Low series inductance  Low series resistance  Excellent uniformity and matching due to "in-line" matching assembly procedure BB639C BB659C, -02V 1 2
Infineon Technologies AG

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BB601M Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier ADE-208-702C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build
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Hitachi
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BB609 Silicon Varlable Capacitance Diodes

Siemens
Siemens
datasheet BB609 pdf

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