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BF999 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon N Channel MOSFET Triode (For high-frequency stages up to 300 MHz/ preferably in FM applications)의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | BF999 Siemens Semiconductor Group | Silicon N Channel MOSFET Triode (For high-frequency stages up to 300 MHz/ preferably in FM applications) Silicon N Channel MOSFET Triode
q
BF 999
For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications
Type BF 999
Marking LB
Ordering Code (tape and reel) Q62702-F1132
Pin Configuration 1 2 3 G D S
Package1) SOT-23
Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Drain current Gate-s | ![]() |
2 | BF999 Infineon Technologies AG | Silicon N-Channel MOSFET Triode BF999
Silicon N-Channel MOSFET Triode
For high-frequency stages up to 300 MHz
3
preferably in FM applications
2 1
VPS05161
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package
BF999
Maximum Ratings Parameter
LBs
1=G
2=D
Symbol
| ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BF900 | Sicherungshalter Type BF900 Sicherungshalter
IEC 60127-6 250V 6,3A
Bezeichnung , Kennzeichnung
Bestellnummer MBL Isoliermaterial Kontakte Gewicht Nennstrom Nennspannung Verlustleistung (Tu < 40°C) Kontaktwiderstand Isolationswiderstand (Kontakte) Durchschlagfestigkeit Verpackung Approbationen
Sicherungshalter f |
![]() Inter Control |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BF901 | Silicon n-channel dual gate MOS-FETs DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF901; BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
Product speci cation File under Discrete Semiconductors, SC07 November 1992
Philips Semiconductors
Product speci cation
Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
FEATURES Intended for low voltage operation Short |
![]() NXP Semiconductors |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BF901R | Silicon n-channel dual gate MOS-FETs DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF901; BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
Product speci cation File under Discrete Semiconductors, SC07 November 1992
Philips Semiconductors
Product speci cation
Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
FEATURES Intended for low voltage operation Short |
![]() NXP Semiconductors |
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