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BGA735N16 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 High Linearity Tri-Band LTE/UMTS LNA의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | BGA735N16 Infineon | High Linearity Tri-Band LTE/UMTS LNA BGA735N16
High Linearity Tri-Band LTE, UMTS LNA (2600, 2300, 2100, 1900, 1800, 900, 800, 700 MHz)
Data Sheet
Revision 3.8, 2010-12-23
RF & Protection Devices
Edition 2010-12-23 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2010 Infineon Technologies AG All Rights Reserved.
Legal Disc |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BGA2001 | Silicon MMIC amplifier DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D124
BGA2001 Silicon MMIC amplifier
Product speci cation Supersedes data of 1999 Jul 23 1999 Aug 11
Philips Semiconductors
Product speci cation
Silicon MMIC ampli er
FEATURES Low current, low voltage Very high power gain Low noise figure Integrated temp |
 NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BGA2003 | Silicon MMIC amplifier DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D124
BGA2003 Silicon MMIC amplifier
Product speci cation Supersedes data of 1999 Feb 25 1999 Jul 23
Philips Semiconductors
Product speci cation
Silicon MMIC ampli er
FEATURES Low current Very high power gain Low noise figure Integrated temperature compe |
NXP Semiconductors |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BGA2012 | 1900 MHz high linear low noise amplifier DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
MBD128
BGA2012 1900 MH- high linear low noise amplifier
Product speci cation Supersedes data of 2000 Sep 06 2000 Dec 04
Philips Semiconductors
Product speci cation
1900 MH- high linear low noise ampli er
FEATURES Low current, low voltage High |
NXP Semiconductors |
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