BLP3062 데이터시트 PDF ( Data sheet )

BLP3062 PIN Si 光 二 管 描述 工作在低 域的 Si 光 二 管， 可探 波 于峰 波 附近的光信 。 用 控 路 光 通信 芯片 ：平面 PIN 型 ： 部 AlSi 外形 和尺寸 Anode Cathode N P 芯片尺寸：1.6 mm × 1.6 mm 芯片厚度：300±25 m 向 N P

BLP0240 PIN Si 光 二 管 描述 工作在低 域的 Si 光 二 管， 可探 波 于峰 波 附近的光信 。 用 控 路 光 通信 芯片 ：平面 PIN 型 ： 部 AlSi 外形 和尺寸 Anode Cathode N P 芯片尺寸：1.0 mm × 1.0 mm 芯片厚度：300±25 m 向 N P

BLP1010 PN Si 光 池 描述 工作在低 域的 Si 光 池，可接收波 于峰 波 附近的光信 。 用 控 路 光 通信 芯片 ：平面 PN 型 ： 部 AlSi 外形 和尺寸 Anode P 芯片尺寸：10 mm × 10 mm 芯片厚度：300±25 m Cathode N 向 N P N N 芯�

BLP10H603 Broadband LDMOS driver transistor Rev. 1 2 October 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 2.5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at frequencies from HF to 1400 MHz. Table 1. Application performance Test signal