BUT12AF 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	BUT12AF Wing Shing Computer Components	SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) BUT12AF GENERAL DESCRIPTION SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a metal envelope ,primarily for use in switching power circuits. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL TO-220F CONDITIONS VBE = 0V MIN MAX 1000 450 8 20 100 1.5 UNIT V V A A W V A V s VCESM V
2	BUT12AF NXP Semiconductors	Silicon diffused power transistors DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUT12F; BUT12AF Silicon diffused power transistors Product speci cation Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 1997 Aug 13 Philips Semiconductors Product speci cation Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltag
3	BUT12AF SavantIC	SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switching regulators ·Motor control systems PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION BUT12F BUT12AF Fig.
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUT100	HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR ® BUT100 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR s STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE s NPN TRANSISTOR s HIGH CURRENT CAPABILITY s FAST SWITCHING SPEED s HIGH RUGGEDNESS APPLICATION s MOTOR CONTROL s UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY DESCRIPTION The BUT100 is a Multiepitaxial Planar NPN Transistor in TO	STMicroelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUT11	Silicon diffused power transistors DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUT11; BUT11A Silicon diffused power transistors Product speci cation Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 1997 Aug 13 Philips Semiconductors Product speci cation Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage,	NXP Semiconductors
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUT11	NPN SILICON POWER TRANSISTOR BUT11 NPN SILICON POWER TRANSISTOR Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK MAY 1989 - REVISED MARCH 1997 q q q Rugged Triple-Diffused Planar Construction 100 W at 25°C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B C E 1 2 3 TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) Pin 2 is in electrical contact wi	Power Innovations Limited

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