BUV24 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 NPN Silicon Low Frequency High Power Switching Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	BUV24 ETC	NPN Silicon Low Frequency High Power Switching Transistor BUV20,BUV21,BUV22,BUV23,BUV24 NPN Silicon Low Frequency High Power Switching Transistor Features: 1. Heavy working current.Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Good Switching Characteristic. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for
2	BUV24 Inchange Semiconductor	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification BUV24 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V (Max.)@IC= 6A ·High Power Dissipation ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min.) APPLICATIONS ·Designed for use in power
3	BUV24 Seme LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUV24 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 0.97 (0.060) 1.10 (0.043) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 22.23 (0.875) max
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV10	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Current Capability APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEX VCER VCEO VEBO	Inchange Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV10N	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUV10N Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 1.47 (0.058) 1.60 (0.063) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17	Seme LAB
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV11	20 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 150 WATTS MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BUV11, D SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor . . . designed for high current, high speed, high power applications. High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A Very fast s	Motorola Inc

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